
随着半导体芯片的不断发展,运算速度越来越快,芯片发热问题愈发成为制约芯片技术发展的瓶颈,热管理对于开发高性能电子芯片至关重要。
为此,研究人员开发了一种共形六方氮化硼修饰技术,在最低温度300摄氏度的条件下,无需催化剂直接在二氧化硅/硅片(SiO2/Si)、石英、蓝宝石、单晶硅,甚至在具有三维结构的氧化硅基底表面生长高质量六方氮化硼薄膜。共形六方氮化硼具有原子尺度清洁的范德瓦尔斯介电表面,与基底共形紧密接触,不用转移,可直接应用于二硒化钨等半导体材料的场效应晶体管。这也是六方氮化硼在半导体与介电衬底界面热耗散领域的首次应用。
据介绍,芯片散热很大程度上受到各种界面的限制,其中导电沟道附近的半导体和介电基底界面尤其重要。氮化硼的衍生产品六方氮化硼是一种理想的介电基底修饰材料,能够改善半导体和介电基底界面。然而,六方氮化硼在界面热耗散领域的潜在应用则往往被忽视。 “在这项技术中,共形六方氮化硼是直接在材料表面生长的,不仅完全贴合、不留缝隙,还无需转移。”魏大程研究员说。这项技术将从崭新的角度为解决芯片散热问题提供新思路。
天元航材是一家生产销售{六方氮化硼,氮化硼}等化工原料的厂家,有着50年的丰富历史底蕴,有着辽宁省诚信示范企业,国家守合同重信用企业等荣誉称号,今天给您带来研究人员研发六方氮化硼在芯片上的应用的相关介绍.
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