天元航材化工原料厂家的小编今天给大家介绍下关于六方氮化硼忆阻器的相关介绍，我们是一家生产六方氮化硼（白石墨、HBN）等氮化硼化工原料的厂家，已有50年的生产工艺经验，那么您了解什么是六角氮化硼二维薄膜的忆阻器吗？六方氮化硼的各种缺陷对忆阻器性能有啥影响？一起来看看吧！

忆阻器，全称记忆电阻器。最早提出忆阻器概念的人是华裔科学家蔡少棠。忆阻器是代表磁通量和电荷之间关系的电路器件。因此，忆阻器可以在很多领域发挥很大的作用，特别是在计算机运算与存储、突触网络的研究中，现在人们越来越重视忆阻器的研究。

那么忆阻器是如何制作的呢？

六方氮化硼（H-BN）是一种新型宽带隙半导体材料，具有高导热性、热膨胀系数、强热稳定性、化学稳定性和高电阻率。它是制造忆阻器的首选材料。然而，基于超薄h-BN的忆阻器件一般存有工作电流高、不稳定的和适用期限短等难题，限定了这类忆阻器件在数据储存方面的不断发展。

以下小编给大家介绍下关于六方氮化硼的各种缺陷对忆阻器器件电学性能的影响

1、Au/H-BN/Au垂直交叉晶格忆阻器阵列分别由CVD生长的单层和多层H-BN制成。在单层H-BN和多层H-BN基忆阻器样品中测试了100个器件，器件的产率分别为5%（单层H-BN基忆阻器）和98%（多层H-BN基忆阻器）。单层H-BN在转移过程中受外应力影响容易形成表面裂纹，大大降低了忆阻器器件的良率。
2、每个器件的初始电阻值是从9个不同的阵列中测量的。这些阵列的产率从56.25%到100%不等，平均产率为82.29%。根据SEM图像和扫描原子力显微镜（AFM）形貌，H-BN的主要表面缺陷是褶皱和杂质残留，两者都会引起样品表面形貌的变化。这两类表面缺陷的具体比例可以通过AFM形貌和AFM软件分析得到。可以看出，表面褶皱/杂质残留浓度与器件的初始电阻值之间没有明显的相关性。
3、4个不同的Au/多层H-BN/Au忆阻器的50个双极忆阻器循环分别对应于这4个器件的4种不同的AFM形态及其缺陷率的比值。这些数据进一步证明，转移过程中引入的二维层状材料的形貌缺陷，如表面褶皱和残留杂质浓度，对Au/H-BN/Au忆阻器的电学性能没有显着影响。
4、H-BN薄膜（生长在Cu表面）的形貌和电流通过原子力显微镜（CAFM）同步获得。在三个方面：
1)H-Bn生于Cu的晶界；
2）在H-BN晶体本身的晶界处；
3）在H-BN晶界内的随机位置发现了集中的漏电流。这些收集相对高电流的位置主要与原子键合缺陷有关。

5、Au/多层H-BN/Au忆阻器的器件尺寸由微米级缩小到纳米级，并在100%uD7100交叉晶格纳米级器件中研究了二维h-BN各种缺陷对其电学性能的影响.

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