最近，中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室张广宇课题组报道了采用化学气相沉积法在六方氮化硼单晶上定向外延单层二硫化钼薄膜，并对薄膜特性进行了仔细研究。六方氮化硼与二硫化钼都具有三重对称性，是具有原子级平整表面的绝缘体。所制备的薄膜由两种取向的晶粒构成，两种取向的晶粒彼此夹角为60度，两种取向的晶粒在氮化硼衬底上具有相等的能量最低态。高分辨透射电镜证实薄膜只具有60晶界。目前为止，最大限度的减少了二硫化钼薄膜的晶界。提高了样品质量。他们将薄膜制备成场效应晶体管，晶体管具有大约30cm2V-1s-1的电子迁移率和106的开关比。最后他们调控生长前驱体的浓度得到不同截止边界的二硫化钼晶粒，拓宽了样品的应用范围。
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