宽带隙半导体材料

天元航材化工原料厂家的小编今天给大家介绍下关于宽带隙半导体材料的相关介绍，天元是一家生产销售六方氮化硼，氮化硼粉体等氮化硼的化工原料厂家，已有50年的生产工艺经验，六方氮化硼是一种具有高机械强度的宽带隙材料，那么您知道宽带隙半导体材料是什么吗？一起来看看吧！

宽禁带半导体材料是室温下禁带宽度大于2.2eV的半导体。主要用于短波长发光器件、紫外光检测和高温、大功率电子器件。氮化镓、碳化硅、六方氮化硼和氧化锌都是宽禁带半导体材料，由于它们的禁带宽度在3电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件可以在高温下运行，例如碳化硅最高可达600摄氏度；如果将钻石制成半导体，它们的温度会更高，并且可以使用设备来收集钻探石油所需的信息。它们在航空、航天等恶劣环境中也有重要应用。广播电台、电视台，唯一的大功率发射管或电子管，还没有被半导体器件取代。这些电子管寿命只有两三千小时，体积大，耗电大；如果采用碳化硅大功率发射器件，体积至少可以缩小几十到几百倍，使用寿命会大大提高，所以高温宽禁带半导体材料是一种非常重要的新型半导体材料。
六方氮化硼的宽带隙使其成为良好的绝缘体，保护PEI薄膜在高温下不被介质击穿，这也是其他聚合物电容器失效的原因。当今最好的商业聚合物在176°F以上的工作温度下开始失去效率，但六方氮化硼涂层PEI可以在392°F有效工作。涂层PEI在55000次充电和放电循环中保持稳定，即使在高温下也是如此。
聚合物太阳能电池以其重量轻、柔韧性好、成本低等独特优势，近10年来受到了世界各国科学家的广泛关注。如何在保持高开路电压的同时拓宽材料的分子吸收，是有机光伏领域的重要研究内容。利用叠层器件结构将两个不同吸收范围的单结电池串联起来，可以同时实现宽吸收光谱和高开路电压，是提高有机太阳能电池效率的有效方法之一。目前，宽禁带聚合物光伏材料种类相对较少，这在一定程度上限制了叠层电池的子电池之间的光谱互补性，进一步限制了效率的提升。
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