氮化硼制品的制造方法是,热处理湍层的BN粉末以降低其氧含量至5—8％(介石墨的BN),洗涤经热处理的粉末,将其与5—8％非晶形的硼混合,将此混合物成型,用流体动力方法压实该成型体,以及反应烧结已压实的成型体,以制出所述的制品。之后将此制品埋入BN与SiC的粉末混合物中和进行热处理,以吸收残余的B2O3。此后,将此制品浸渍低粘度的甲基硅烷类的低聚物(MW＜1000),所选用的低聚物在热解时可以产生高比例的SiC,并将该制品进行热处理,以使其孔隙中通过整个厚度均匀地充满SiC。
氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N2的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1.2Pa的条件下进行的.在超高真空系统中测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与基板偏压和膜厚关系很大。
介石墨的氮化硼粉与除了单质硼粉以外的反应烧结剂的 混合物制造氮化硼陶瓷制品的方法,其中包括将该混合物成形 为制品的形状,在压力下将已成形的混合物压实和将此已压实 的混合物在真空或惰性或氮气的气氛下反应烧结,其特征在于 该介石墨的氮化硼含化学键合氧按质量从5％到10％,所述 的反应烧结剂按化学计量比至少相当于该化学键合氧,以及该 反应烧结剂能与现有的B、N和／或O在烧结条件下起化学反 应,以形成适当的难熔化合物加上容许的小部分挥发性产物。
氮化硼—R型（R-BN）
氮化硼—H型（H-BN）厂家
高温氮化硼厂家
白石墨