高温半导体P-N结器件

天元航材是一家拥有50余年的生产技术工艺沉淀的化工原料厂家，主营产品有六方氮化硼（白石墨烯、HBN）等氮化硼化工原料产品。今天，小编给大家介绍下关于高温半导体P-N结器件的相关知识，高温半导体P-N结器件是什么？那么高温半导体P-N结器件如何制备呢？一起来看看吧！

ps：天元航材不提供高温半导体P-N结器件，以下仅对高温半导体P-N结器件相关制作工艺进行简单介绍！

很早之前电子器件材料用原材料通常以硅半导体为主，但硅半导体材料在200℃之上的时候会不起作用，因此有研究者发现和石墨特性类似，被称作白石墨的氮化硼是个能够取代硅的优秀原材料，如今已经成为制作半导体材料的主要原材料的一种。

氮化硼能够应用在制作半导体元器件方面，由P型与N型半导体结合而构成的单结半导体元件，最常见的就是二极管，日本科学家利用生长大的单晶体立方氮化硼(C-BN)的前沿技术成就，这些人顺利地创造了世界第一个可在650℃条件下稳定工作的P-N结型二极管。

PN结是绝大多数半导体器件的基本单位。除金属材料一半导体接触器件外，全部结型器件均由PN结组成。PN结本身就是一类器件一整流器。由P型半导体和N型半导体完成冶金学接触（原子级接触)所产生的结构叫做PN结。

宽禁带半导体（如AlN、GaN、h-BN等）是制作pn结的重要原材料的一种，当h-BN中的n型施主杂质能级（如Ge）,与此同时引进另外一个牺牲性配位杂质，与Ge的轨道完成耦合，则有可能调控其杂质能级具体位置，乃至使之具体位置变浅。并且利用O的2pz轨道与Ge的4pz轨道之间强烈的耦合作用，，借助系统能级总能的守恒，当借助分裂产生其中的一个牺牲性的、更深层次的能级，则可以有效的将另外一个施主能级拉高，导致其变成极浅的能级，离化能可降低至贴近0meV而得到合理有效导电性。因此我们可以采用低压化学气相外延（LPCVD）方法，引进GeO2作为配位掺杂剂，完成了Ge-O杂质向二维h-BN薄膜的原位耦合掺杂，借助退火处理，最终在单层h-BN中得到了高做到100nA的n型电流，自由电子浓度做到1.941016cm-3。

下面给大家介绍一类高温半导体P-N结器件的制备工艺方法

1、准备好一块基板；
2、在基板中产生一一号掩模层；对该基板完成一一号光刻蚀刻工艺，从而去掉一部分该一号掩模层并且于该基板中产生一沟渠结构；
3、在第一沟渠结构中进行一一号离子注入加工工艺，从而于该基板中产生一一号深度引入区域；
4、对基板完成一第二光刻蚀刻工艺，从而去掉一部分该一号掩模层从而形成一侧壁结构；
5、在沟渠结构的下方与本侧壁结构上产生一第二掩模层；
6、对基板完成一第三光刻蚀刻工艺，从而于该沟渠结构中产生一栅极结构；
7、在沟渠结构中进行一第二离子注入加工工艺，从而于该基板中产生相邻于该一号深度引入区域的一第二深度引入区域；
8、在去掉光致抗蚀剂后在该沟渠结构中进行一第三离子注入加工工艺，从而于该基板中产生相邻于该第二深度引入区域的一第三深度引入区域；
9、蚀刻工艺，从而去掉一部分该第二掩模层；
10、在沟渠结构的下方、该栅极结构的表面与本侧壁结构上产生一金属材料层；
11、最后对基板完成一第四光刻蚀刻工艺，从而去除掉一部分该金属材料层后制作而来半导体P-N结二极管。

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