氮化硼纳米带是超薄的二维III-V纳米材料。根据边缘状态的手征分类，氮化硼纳米带可分为锯齿形纳米带和扶手椅纳米带。根据相关原理计算表明，Z字形氮化硼纳米带的带隙与纳米带宽度有关，可通过外部电场和不同程度的边缘氢化来调节。尽管块状六方氮化硼晶体是电绝缘的，但是氮化硼纳米带可以通过边缘氢化，氟化和氧官能化而制成半金属导电性质。因此，氮化硼纳米带对纳米级电子，自旋电子学，光电子学等具有广泛的应用。所有这些应用都需要大量高质量的氮化硼纳米带。然而，氮化硼纳米带的合成非常具有挑战性，并且目前氮化硼纳米带的产生非常低。
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