热解氮化硼（PBN）材料具有高纯度、化学惰性以及优异的结构和性能使其成为元素提纯、化合物及化合物半导体晶体生长的理想容器，尤其是用于制备新一代化合物半导体GaAs、InP等，同时还广泛应用于航空、航天、电子、化工、特种冶金、医疗等各个领域。PBN的主要用途如下：

（1）化合物半导体单晶生长用容器

化合物半导体单晶（比如GaAs、InP等）的生长需要极其严格的环境，包括温度、原料纯度以及生长容器纯度等。PBN是目前化合物半导体单晶生长用最为理想的容器，无可替代。化合物半导体单晶生长方法目前主要有液封直拉法（LEC）、水平布里曼法（HB）和垂直布里曼法（VB和VGF）等方法，对应的PBN有LEC坩埚、VB坩埚和VGF坩埚等等；

（2）分子束外延用束源坩埚

分子束外延（MBE）是当今世界最重要的Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体晶体外延生长工艺之一。PBN坩埚是MBE过程中用作装蒸发元素和化合物最佳的容器；

（3）OLED用坩埚

OLED想必大家应该都不会陌生了，最近非常火热。据说iphone 8要开始采用OLED屏幕了。OLED用坩埚就是在OLED生产线上作为蒸发元容器所用。

（4）PBN 环和片

PBN在超高真空下可被加热到2300℃而不发生分解，具有很高的纯度，达到99.99%以上，高温下不释放气体杂质等诸多优良特性，这些特性使得PBN可以被加工成不同形状的环和片，从而广泛的应用于高温、真空、MBE和OLED等领域，作为支撑架、绝缘件和垫片等使用。

（5）PBN 涂层

在液相外延和MOCVD中，PBN常用来对设备中的石墨件进行涂层保护，还可以作为石墨加热器的外涂层(PG/PBN加热器)，从而防止石墨发热体在高温下发生挥发。另外，由于PBN薄膜具有极高的化学惰性，可以作为半导体刻蚀工艺中的隔膜或钝化膜；