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六方氮化硼薄膜制备方法流程

文章出处：天元航材责任编辑：天元化工新材厂家发布时间：2023-08-22 09:23:58 点击数：0 【大 中 小】

[导读]：天元航材跟大家一起来了解下关于六方氮化硼薄膜制备方法流程是怎么样的吧！

六方氮化硼薄膜制备方法流程

天元航材化工原料生产厂家的小编今天给大家介绍下关于六方氮化硼薄膜制备方法的相关介绍，我们天元是一家生产六方氮化硼的化工厂家，生产的六方氮化硼广泛应用薄膜,脱模剂，复合陶瓷等行业，今天小编跟大家一起来了解下关于六方氮化硼薄膜制备方法流程是怎么样的吧！

六方氮化硼（H-BN）是一种Ⅲ类化合物，其六方相具有类似于石墨烯的层状结构，被命名为白石墨，层中的b和N原子以共价键结合在一起，其结构为稳定。层间有范德华力，层间可以通过脱硼的方式打开，在空气中非常稳定，可以承受2000℃的高温，只有在连续强加热条件下才能燃烧，可以用于高温耐火材料、耐火涂料。

以下是制备六方氮化硼薄膜的步骤：
(1)硼源置于衬底中；
(2)在惰性气体气氛中加热硼源使硼源熔化；
(3)然后，通过气相氮源进行反应；
(4)反应结束后，除去未反应的硼源，得到六方氮化硼薄膜。

硼源有氧化硼、硼酸、偏硼酸锂、偏硼酸钠、偏硼酸钾、四硼酸锂及其水合物、四硼酸钠及其水合物、四硼酸钾及其水合物、四硼酸铝及其水合物。

此外，还可以通过CVD法制备六方氮化硼薄膜
CVD法制备的六方氮化硼薄膜通常使用BCL3或B2H6作为硼源，BCL3作为硼源可以获得较高的沉积速率，但在较高的沉积温度（1200～2000℃）下，可以在较低的温度下获得非晶氮化硼B2H6作为硼源的沉积速率比B2H6低，但沉积温度可明显降低，最低可降低至600℃，Bcl3和NH3在827℃沉积非晶态氮化硼薄膜,在900°C下制备六方氮化硼薄膜。

H-BN薄膜的表面探究得出由于在吸附空气中碳氢化合物的作用下,氮化硼的水接触角随着暴露在空气中的时间而增加，水接触角大于93.60，表明表面H-BN薄膜能量低，可作为碳氢化合物材料。

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