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现代,电子元件和信通的体积不断变小,速度不断变快,对热处理和可靠性形成了巨大的挑战,尤其是使用寿命沦为关键问题,局部高热流热点的热管理是大功率电子器件的关键,不理想的散热会造成芯片中特殊区域温度过高,影响电子系统性能和电子器件的可靠性,近年来,二维氮化硼被提出可作为一种有前景的散热材料,很多学者报道了而为氮化硼在大功率晶体管热管理中的应用。
单层二维氮化硼又被称为白色石墨,现已成为二维材料家族中的重要一员,它具有与石墨烯类似的结构特征和晶格参数,近年来收到科研界的广泛关注,有希望成为在电子元器件中石墨烯的替代品,目前针对二维层状氮化硼的研究主要集中在制备、电学性能测试分析和应用价值的探讨上。由于氮化硼是一种宽带隙绝缘材料,要选择合理恰当的方法调整带隙结构,使其向半导体转变,是相当有难度的工作,从另一个角度考虑二维氮化硼沿着A、B轴平面的热导率是石英的10倍,而热膨胀系数相当于石英,是陶瓷中最小的,同时二维氮化硼又很高的电阻率,绝缘性号,加上其物理、化学的稳定性,很适合用于电子器件中的绝缘散热材料。