天元航材是一家拥有50余年的生产技术工艺沉淀的化工原料厂家，主营产品有六方氮化硼（HBN、白石墨烯）等硼系列化工原料产品。今天，小编给大家介绍下关于氮化铝陶瓷基板的相关知识，我们的六方氮化硼可用于制备氮化铝陶瓷基板过程中吗？那么氮化铝陶瓷基板如何制备呢？一起来看看吧！

ps：天元航材不提供氮化铝陶瓷基板，以下仅对氮化铝陶瓷基板相关制作工艺进行简单介绍！

陶瓷基板产品问世，打开散热应用领域行业发展，陶瓷基板指的是铜箔高温下直接键合到氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)陶瓷基片表面(单层或双层)上面的新工艺板。按材料来区分可以分为Al2O3、BeO、AlN等多种。具备可靠性高、结合力强、高强度、高导热率、高绝缘性等优质性能指标。主要应用于汽车电子、大功率电力半导体模块、航天航空及军工用其他电子元件、LED照明等领域中。

近年来，随着大规模集成电路及其电子设备朝着高速化、多用途、微型化、大功率的方面发展，各种各样应用领域对性能卓越、高密度电路的需求将增长。在其中A1N陶瓷的应用领域尤为突出。

A1N是III-V族半导体化合物，其晶体是以[A1N4]四面体为结构单位的共价键化合物，25℃时晶格常数a0=3.1172，c0=4.9816，属六方晶系。A1N陶瓷是新型无机非金属材料，最高可稳定到2473K，具备可靠的电绝缘性能、相对较低的介电损耗、低介电常数、出色的热导率等出色的性能指标，并且具有与Si相近的热膨胀系数等等一些列出色的特性，被视作高集成度半导体基片和电子器件封装的理想材料。因而有关于A1N功能陶瓷材料的研究受到了广泛关注。

然而，电路密度和功能的不断提升造成电路工作温度不断攀升，为了避免元件因热聚集和热循环的作用造成损坏，对基板材料的低介电常数、低热膨胀系数、高热导率等方面提出的问题更加严格的。

为了解决以上出现的难题，下面给大家介绍一种氮化铝陶瓷基板的制备工艺方法

1、将比例为(1~5)：1的六方氮化硼粉体和氨硼烷改性剂分散在第一溶剂（丁醇、乙酸乙酯、丙醇或乙醇）中，获得氮化硼混合溶液，再将混合溶液倒进砂磨机中，在转速为700~1200rpm下，快速加工处理30~60min后，空气干燥粉碎碾磨后获得改性氮化硼;
2、将改性氮化硼、小于3μm的氮化铝超细粉、多元烧结助剂（YF3-CaF2、Y203-Ca0、Y203-Ca0-Li20、Y203-CaF2或Y203-Ca0-Li203）、粘接剂（聚乙醇缩丁醛、聚乙二醇或聚氨酯）及其第二溶剂利用高分子混料设备搅拌均匀后获得烧结浆料；
3、将流程二的烧结浆料通过真空脱泡机脱泡处理之后，利用流延机，获得一定的厚度的流延带；
4、将流程三的流延带经冲切、层压、排胶和烧结后获得细密的氮化铝陶瓷基板。
5、将氮化铝陶瓷基板用等离子体处理表面，然后再把铜箔贴到上述氮化铝陶瓷基板上，基通过1000~1100℃处理之后获得所需要封装材料。

今天，小编就给大家介绍到这里了，如有疑问，欢迎致电咨询小编！